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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV1F025S

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV1F025S

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV1F025S
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV1F025S
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CGHV1F025S
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
FET RF 100V 6GHZ 12DFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de CGHV1F025S

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 6GHz
Gain 16dB
Tension - essai 40V
Estimation actuelle 2A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 150mA
Puissance de sortie 29W
Tension - évaluée 100V
Paquet/cas 12-VFDFN a exposé la protection
Paquet de dispositif de fournisseur 12-DFN (4x3)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de CGHV1F025S

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV1F025SPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV1F025SPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV1F025SPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV1F025S

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Nombre de pièces:
Negotiable
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