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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > BLF6G27-10G, puce de 118 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF6G27-10G, puce de 118 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF6G27-10G, puce de 118 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
BLF6G27-10G, puce de 118 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF6G27-10G, 118
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 19DB SOT975C de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLF6G27-10G, 118 caractéristiques

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2.5GHz | 2.7GHz
Gain 19dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 3.5A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 130mA
Puissance de sortie 2W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-975C
Paquet de dispositif de fournisseur CDFM2
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLF6G27-10G, emballage 118

Détection

BLF6G27-10G, puce de 118 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G27-10G, puce de 118 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G27-10G, puce de 118 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G27-10G, puce de 118 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

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Le stock:
Nombre de pièces:
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