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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLM7G1822S-40PBGY

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLM7G1822S-40PBGY

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLM7G1822S-40PBGY
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLM7G1822S-40PBGY
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLM7G1822S-40PBGY
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLM7G1822S-40PBGY

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double)
Fréquence 1.81GHz | 2.17GHz
Gain 31.5dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 40mA
Puissance de sortie 4W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-1212-1
Paquet de dispositif de fournisseur 16-HSOP
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLM7G1822S-40PBGY

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLM7G1822S-40PBGYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLM7G1822S-40PBGYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLM7G1822S-40PBGYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLM7G1822S-40PBGY

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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