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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP10H610AZ

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP10H610AZ

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP10H610AZ
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP10H610AZ
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLP10H610AZ
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLP10H610AZ

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 860MHz
Gain 22dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 60mA
Puissance de sortie 10W
Tension - évaluée 104V
Paquet/cas 12-VDFN a exposé la protection
Paquet de dispositif de fournisseur 12-HVSON (5x6)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLP10H610AZ

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP10H610AZPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP10H610AZPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP10H610AZPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP10H610AZ

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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