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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1517NT1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1517NT1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1517NT1
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1517NT1
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF1517NT1
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MRF1517NT1

Statut de partie Pas pour de nouvelles conceptions
Type de transistor LDMOS
Fréquence 520MHz
Gain 14dB
Tension - essai 7.5V
Estimation actuelle 4A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 150mA
Puissance de sortie 8W
Tension - évaluée 25V
Paquet/cas PLD-1.5
Paquet de dispositif de fournisseur PLD-1.5
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MRF1517NT1

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1517NT1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1517NT1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1517NT1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1517NT1

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Nombre de pièces:
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