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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PD85004

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PD85004

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PD85004
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PD85004
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
PD85004
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
FET RF 40V 870MHZ
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques PD85004

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 870MHz
Gain 17dB
Tension - essai 13.6V
Estimation actuelle 2A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 50mA
Puissance de sortie 4W
Tension - évaluée 40V
Paquet/cas TO-243AA
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-89
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage PD85004

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PD85004Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PD85004Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PD85004Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PD85004

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Nombre de pièces:
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