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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF171A

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF171A

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF171A
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF171A
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF171A
Fabricant:
Solutions de technologie de M/A-Com
Description:
FET RF 65V 200MHZ 211-07
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de MRF171A

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal
Fréquence 30MHz | 200MHz
Gain 19.5dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 4.5A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 25mA
Puissance de sortie 45W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas 211-07
Paquet de dispositif de fournisseur 211-07, style 2
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de MRF171A

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF171APuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF171APuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF171APuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF171A

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Nombre de pièces:
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