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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1535NT1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1535NT1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1535NT1
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1535NT1
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF1535NT1
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
ENVELOPPE du FET RF 40V 520MHZ TO272-6
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MRF1535NT1

Statut de partie Pas pour de nouvelles conceptions
Type de transistor LDMOS
Fréquence 520MHz
Gain 13.5dB
Tension - essai 12.5V
Estimation actuelle 6A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 500mA
Puissance de sortie 35W
Tension - évaluée 40V
Paquet/cas TO-272AA
Paquet de dispositif de fournisseur TO-272-6
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MRF1535NT1

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1535NT1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1535NT1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1535NT1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1535NT1

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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