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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD20010-E

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD20010-E

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD20010-E
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD20010-E
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
PD20010-E
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
FET POWERSO-10RF DU TRANSPORT RF N-CH
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de PD20010-E

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2GHz
Gain 11dB
Tension - essai 13.6V
Estimation actuelle 5A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 150mA
Puissance de sortie 10W
Tension - évaluée 40V
Paquet/cas PowerSO-10RF a exposé la protection inférieure (2 avances formées)
Paquet de dispositif de fournisseur PowerSO-10RF (avance formée)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de PD20010-E

Détection

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Nombre de pièces:
Negotiable
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