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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD57018-E

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD57018-E

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD57018-E
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD57018-E
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
PD57018-E
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de PD57018-E

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 945MHz
Gain 16.5dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 2.5A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 100mA
Puissance de sortie 18W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas PowerSO-10 a exposé la protection inférieure
Paquet de dispositif de fournisseur 10-PowerSO
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de PD57018-E

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD57018-EPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD57018-EPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD57018-EPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de PD57018-E

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Nombre de pièces:
Negotiable
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