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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PTFA192001EV4T350XWSA1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PTFA192001EV4T350XWSA1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PTFA192001EV4T350XWSA1
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PTFA192001EV4T350XWSA1
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
PTFA192001EV4T350XWSA1
Fabricant:
Infineon Technologies
Description:
FET LDMOS H-36260-2 D'IC RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Série:
*
Introduction au projet

Caractéristiques PTFA192001EV4T350XWSA1

Statut de partie Achat de la fois passée
Type de transistor -
Fréquence -
Gain -
Tension - essai -
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie -
Tension - évaluée -
Paquet/cas -
Paquet de dispositif de fournisseur -
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage PTFA192001EV4T350XWSA1

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PTFA192001EV4T350XWSA1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PTFA192001EV4T350XWSA1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PTFA192001EV4T350XWSA1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ PTFA192001EV4T350XWSA1

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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