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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLA6H0912L-1000U

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLA6H0912L-1000U

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLA6H0912L-1000U
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLA6H0912L-1000U
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLA6H0912L-1000U
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLA6H0912L-1000U

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 1.03GHz
Gain 15.5dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 200mA
Puissance de sortie 1000W
Tension - évaluée 100V
Paquet/cas SOT539A
Paquet de dispositif de fournisseur SOT539A
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLA6H0912L-1000U

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLA6H0912L-1000UPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLA6H0912L-1000UPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLA6H0912L-1000UPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLA6H0912L-1000U

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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Adresse: ST MONGKOKKL DE ROI COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
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