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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > BLF573S, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF573S, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF573S, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
BLF573S, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF573S, 112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLF573S, 112 caractéristiques

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 225MHz
Gain 27.2dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle 42A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 900mA
Puissance de sortie 300W
Tension - évaluée 110V
Paquet/cas SOT-502B
Paquet de dispositif de fournisseur SOT502B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLF573S, emballage 112

Détection

BLF573S, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF573S, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF573S, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF573S, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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