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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G10LS-250,118

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G10LS-250,118

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G10LS-250,118
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G10LS-250,118
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF7G10LS-250,118
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques BLF7G10LS-250,118

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 920MHz | 960MHz
Gain 19.5dB
Tension - essai 30V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 1.8A
Puissance de sortie 60W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-502B
Paquet de dispositif de fournisseur SOT502B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLF7G10LS-250,118

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G10LS-250,118Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G10LS-250,118Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G10LS-250,118Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF7G10LS-250,118

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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