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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV27100F

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV27100F

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV27100F
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV27100F
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CGHV27100F
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
FET RF 50V 2.7GHZ 440162
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de CGHV27100F

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 2.5GHz | 2.7GHz
Gain 18dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle 6A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 500mA
Puissance de sortie 100W
Tension - évaluée 50V
Paquet/cas 440162
Paquet de dispositif de fournisseur 440162
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de CGHV27100F

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV27100FPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV27100FPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV27100FPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV27100F

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Nombre de pièces:
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