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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > BLF178P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

BLF178P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

BLF178P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
BLF178P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF178P, 112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLF178P,112 Specifications

Part Status Active
Transistor Type LDMOS (Dual), Common Source
Frequency 108MHz
Gain 28.5dB
Voltage - Test 50V
Current Rating 88A
Noise Figure -
Current - Test 40mA
Power - Output 1200W
Voltage - Rated 110V
Package / Case SOT539A
Supplier Device Package SOT539A
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

BLF178P,112 Packaging

Detection

BLF178P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF ChipBLF178P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF ChipBLF178P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF ChipBLF178P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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Nombre de pièces:
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