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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF476FL

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF476FL

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF476FL
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF476FL
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
ARF476FL
Fabricant:
Microsemi Corporation
Description:
RP de PUL du FET N CH 500V 10A PSH de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques d'ARF476FL

Statut de partie Actif
Type de transistor Double) source commune de 2 N-canaux (
Fréquence 128MHz
Gain 16dB
Tension - essai 150V
Estimation actuelle 10A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 15mA
Puissance de sortie 900W
Tension - évaluée 500V
Paquet/cas -
Paquet de dispositif de fournisseur -
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage d'ARF476FL

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF476FLPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF476FLPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF476FLPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'ARF476FL

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Nombre de pièces:
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