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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2021

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2021

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2021
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2021
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
NPT2021
Fabricant:
Solutions de technologie de M/A-Com
Description:
HEMT N-CH 48V 50W DC-2.2GHZ
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques NPT2021

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 0Hz | 2.2GHz
Gain 15dB
Tension - essai 48V
Estimation actuelle 7A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 300mA
Puissance de sortie 50W
Tension - évaluée 160V
Paquet/cas TO-272Because
Paquet de dispositif de fournisseur TO-272-2
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage NPT2021

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2021Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2021Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2021Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2021

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Nombre de pièces:
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