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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF6G38LS-50,118

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF6G38LS-50,118

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF6G38LS-50,118
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF6G38LS-50,118
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF6G38LS-50,118
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 14DB SOT502B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques BLF6G38LS-50,118

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 3.4GHz | 3.6GHz
Gain 14dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 16.5A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 450mA
Puissance de sortie 9W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-502B
Paquet de dispositif de fournisseur SOT502B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLF6G38LS-50,118

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF6G38LS-50,118Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF6G38LS-50,118Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF6G38LS-50,118Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF6G38LS-50,118

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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