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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ SD56120

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ SD56120

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ SD56120
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ SD56120
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SD56120
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
FET rf 65V 860MHZ M246
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques SD56120

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 860MHz
Gain 16dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 14A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 400mA
Puissance de sortie 100W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas M246
Paquet de dispositif de fournisseur M246
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage SD56120

Détection

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Nombre de pièces:
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