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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRFE6VP8600HR5

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRFE6VP8600HR5

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRFE6VP8600HR5
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRFE6VP8600HR5
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRFE6VP8600HR5
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MRFE6VP8600HR5

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double)
Fréquence 860MHz
Gain 19.3dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 1.4A
Puissance de sortie 125W
Tension - évaluée 130V
Paquet/cas NI-1230
Paquet de dispositif de fournisseur NI-1230
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MRFE6VP8600HR5

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRFE6VP8600HR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRFE6VP8600HR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRFE6VP8600HR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRFE6VP8600HR5

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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