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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF871,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF871,112

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF871,112
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF871,112
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF871,112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 89V 19DB SOT467C de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques BLF871,112

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 860MHz
Gain 19dB
Tension - essai 40V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 500mA
Puissance de sortie 100W
Tension - évaluée 89V
Paquet/cas SOT467C
Paquet de dispositif de fournisseur SOT467C
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLF871,112

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF871,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF871,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF871,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF871,112

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Nombre de pièces:
Negotiable
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