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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G27LS-210PVY

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G27LS-210PVY

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G27LS-210PVY
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G27LS-210PVY
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLC8G27LS-210PVY
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLC8G27LS-210PVY

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 2.6GHz | 2.7GHz
Gain 17dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 1.73A
Puissance de sortie 65W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-1251-3
Paquet de dispositif de fournisseur 8-DFM
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLC8G27LS-210PVY

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G27LS-210PVYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G27LS-210PVYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G27LS-210PVYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC8G27LS-210PVY

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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