Envoyer le message
À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF882SU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF882SU

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF882SU
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLF882SU

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 705MHz
Gain 20.6dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 100mA
Puissance de sortie 200W
Tension - évaluée 104V
Paquet/cas SOT-502B
Paquet de dispositif de fournisseur CDFM4
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLF882SU

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF882SUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF882SUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF882SUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF882SU

Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable