Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF8G10LS-300PJ
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF8G10LS-300PJ
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet
Caractéristiques de BLF8G10LS-300PJ
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de transistor | LDMOS (double), source commune |
Fréquence | 760.5MHz | 800.5MHz |
Gain | 20.5dB |
Tension - essai | 28V |
Estimation actuelle | - |
Chiffre de bruit | - |
Actuel - essai | 2A |
Puissance de sortie | 65W |
Tension - évaluée | 65V |
Paquet/cas | SOT539B |
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT539B |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de BLF8G10LS-300PJ
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable