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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGH60060D

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGH60060D

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGH60060D
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGH60060D
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CGH60060D
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
L'HEMT 28V de TRANSISTOR MOSFET de RF MEURENT
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de CGH60060D

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 6GHz
Gain 13dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 400mA
Puissance de sortie 60W
Tension - évaluée 84V
Paquet/cas Mourez
Paquet de dispositif de fournisseur Mourez
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de CGH60060D

Détection

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Nombre de pièces:
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