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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > BLF8G20LS-200V, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF8G20LS-200V, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF8G20LS-200V, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
BLF8G20LS-200V, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF8G20LS-200V, 112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLF8G20LS-200V, 112 caractéristiques

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.81GHz | 1.88GHz
Gain 17.5dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 1.6A
Puissance de sortie 55W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-1120B
Paquet de dispositif de fournisseur CDFM6
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLF8G20LS-200V, emballage 112

Détection

BLF8G20LS-200V, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF8G20LS-200V, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF8G20LS-200V, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF8G20LS-200V, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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