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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > BLS6G2731-6G, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLS6G2731-6G, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLS6G2731-6G, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
BLS6G2731-6G, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLS6G2731-6G, 112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 60V 15DB SOT975C de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLS6G2731-6G, 112 caractéristiques

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2.7GHz | 3.1GHz
Gain 15dB
Tension - essai 32V
Estimation actuelle 3.5A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 25mA
Puissance de sortie 6W
Tension - évaluée 60V
Paquet/cas SOT-975C
Paquet de dispositif de fournisseur SOT975C
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLS6G2731-6G, emballage 112

Détection

BLS6G2731-6G, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLS6G2731-6G, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLS6G2731-6G, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLS6G2731-6G, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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