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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC2425M9LS250Z

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC2425M9LS250Z

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC2425M9LS250Z
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLC2425M9LS250Z
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLC2425M9LS250Z
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701 de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLC2425M9LS250Z

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2.45GHz
Gain 18.5dB
Tension - essai 32V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 20mA
Puissance de sortie 250W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-1270-1
Paquet de dispositif de fournisseur -
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLC2425M9LS250Z

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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