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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LET20030C

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LET20030C

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LET20030C
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LET20030C
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
LET20030C
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
FET rf 80V 2GHZ M243
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de LET20030C

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2GHz
Gain 13.9dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 9A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 400mA
Puissance de sortie 45W
Tension - évaluée 80V
Paquet/cas M243
Paquet de dispositif de fournisseur M243
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de LET20030C

Détection

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