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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6S20010GNR1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6S20010GNR1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6S20010GNR1
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6S20010GNR1
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF6S20010GNR1
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MRF6S20010GNR1

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2.17GHz
Gain 15.5dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 130mA
Puissance de sortie 10W
Tension - évaluée 68V
Paquet/cas Aile de la mouette TO-270-2
Paquet de dispositif de fournisseur MOUETTE TO-270-2
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MRF6S20010GNR1

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6S20010GNR1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6S20010GNR1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6S20010GNR1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6S20010GNR1

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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