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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMRF1014NT1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMRF1014NT1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMRF1014NT1
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMRF1014NT1
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MMRF1014NT1
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MMRF1014NT1

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.96GHz
Gain 18dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 50mA
Puissance de sortie 4W
Tension - évaluée 68V
Paquet/cas PLD-1.5
Paquet de dispositif de fournisseur PLD-1.5
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MMRF1014NT1

Détection

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