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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MMBFJ309LT1G

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MMBFJ309LT1G

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MMBFJ309LT1G
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MMBFJ309LT1G
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MMBFJ309LT1G
Fabricant:
SUR le semi-conducteur
Description:
JFET N-CH 25V 30MA SOT23
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de MMBFJ309LT1G

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal JFET
Fréquence -
Gain -
Tension - essai -
Estimation actuelle 30mA
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie -
Tension - évaluée 25V
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de MMBFJ309LT1G

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MMBFJ309LT1GPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MMBFJ309LT1GPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MMBFJ309LT1GPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MMBFJ309LT1G

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Nombre de pièces:
Negotiable
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