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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ309

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ309

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ309
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ309
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MMBFJ309
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
JFET N-CH 25V 30MA SOT23
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MMBFJ309

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal JFET
Fréquence 450MHz
Gain 12dB
Tension - essai 10V
Estimation actuelle 30mA
Chiffre de bruit 3dB
Actuel - essai 10mA
Puissance de sortie -
Tension - évaluée 25V
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-23-3
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MMBFJ309

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ309Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ309Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ309Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ309

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Nombre de pièces:
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