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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ211

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ211

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ211
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MMBFJ211
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MMBFJ211
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
JFET N-CH 25V 20MA SOT23
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MMBFJ211

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal JFET
Fréquence -
Gain -
Tension - essai -
Estimation actuelle 20mA
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie -
Tension - évaluée 25V
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-23-3
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MMBFJ211

Détection

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Nombre de pièces:
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