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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV14800F

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV14800F

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV14800F
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV14800F
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CGHV14800F
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
HEMT de 800-W 1200-1400-MHZ GAN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de CGHV14800F

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 1.4GHz
Gain 14.5dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle 24A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 800mA
Puissance de sortie 900W
Tension - évaluée 125V
Paquet/cas 440117
Paquet de dispositif de fournisseur 440117
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de CGHV14800F

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV14800FPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV14800FPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV14800FPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV14800F

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Nombre de pièces:
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