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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888EU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888EU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888EU
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888EU
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF888EU
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 104V 17DB SOT539A de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLF888EU

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 600MHz | 700MHz
Gain 17dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 600mA
Puissance de sortie 750W
Tension - évaluée 104V
Paquet/cas SOT539A
Paquet de dispositif de fournisseur -
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLF888EU

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888EUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888EUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888EUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888EU

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