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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGH09120F

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGH09120F

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGH09120F
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGH09120F
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CGH09120F
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
HEMT 28V 440095 de TRANSISTOR MOSFET de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de CGH09120F

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 2.5GHz
Gain 21.5dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 1.2A
Puissance de sortie 120W
Tension - évaluée 84V
Paquet/cas 440095
Paquet de dispositif de fournisseur 440095
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de CGH09120F

Détection

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Nombre de pièces:
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