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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50GNR5

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50GNR5

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50GNR5
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50GNR5
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF1K50GNR5
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
PUISSANCE À LARGE BANDE LDMOS TRANSIST DE RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MRF1K50GNR5

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.8MHz | 500MHz
Gain 23dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie 1500W
Tension - évaluée 50V
Paquet/cas OM-1230G-4L
Paquet de dispositif de fournisseur OM-1230G-4L
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MRF1K50GNR5

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50GNR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50GNR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50GNR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50GNR5

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Nombre de pièces:
Negotiable
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