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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV60170D

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV60170D

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV60170D
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV60170D
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CGHV60170D
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
L'HEMT 50V de TRANSISTOR MOSFET de RF MEURENT
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de CGHV60170D

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 6GHz
Gain 17dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 260mA
Puissance de sortie 170W
Tension - évaluée 150V
Paquet/cas Mourez
Paquet de dispositif de fournisseur Mourez
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de CGHV60170D

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV60170DPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV60170DPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV60170DPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de CGHV60170D

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Nombre de pièces:
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