Transistors MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 de transistors de FET de thyristors de diodes de transistor à effet de champ AO3423
Transistors MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 de transistors de FET de thyristors de diodes de transistor à effet de champ AO3423
- L'AO3423 emploie la technologie avancée de fossé pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS), à la basses charge de porte et opération des tensions de porte aussi basses comme 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage en tant qu'applications d'un commutateur de charge.
Numéro de la pièce interne | AO3423 | |
Statut sans plomb/statut de RoHS | Sans plomb/RoHS conforme | |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) | |
Statut de production (cycle de vie) | Dans la production | |
Condition | Nouveau et inutilisé, original scellé | |
D'autres documents connexes | Politique de vert d'AOS | |
D'autres dessins | Dessus de la série SOT-23 d'AO34xx Extrémité de la série SOT-23 d'AO34xx Côté de la série SOT-23 d'AO34xx |
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Forfait standard | 3 000 | |
Catégorie | Produits semiconducteurs discrets | |
Famille | FETs - simples | |
Série | - | |
Emballage | Bande et bobine (TR) | |
Type de FET | P-canal de transistor MOSFET, oxyde de métal | |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique, commande 2.5V | |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V | |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 2A (ventres) | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 92 mOhm @ 2A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) @ Vds | 620pF @ 10V | |
Puissance - maximum | 1.4W | |
Montage du type | Bâti extérieur | |
Paquet/cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-23-3 | |
Poids | 0,001 KILOGRAMMES | |
Application | Email pour des détails | |
Partie alternative (remplacement) | AO3423 | |
Liens relatifs | AO3, AO3423 fiche technique, distributeur d'Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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