RANGÉE TRÈS RÉDUITE de DIODE de la CAPACITÉ TV de transistors et de thyristors de diodes d'AOZ8902CIL
Transistors et thyristors de diodes
,Basse rangée de diode de la capacité TV
,AOZ8902CIL
Rangée très réduite de diode de la capacité TV de thyristors de diodes de transistor à effet de champ d'AOZ8902CIL
- L'AOZ8902CIL emploie la technologie avancée de fossé pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés dans l'inverseur et d'autres applications. Alpha Omega Semiconductor Inc
Numéro de la pièce interne | AOZ8902CIL | |
Statut sans plomb/statut de RoHS | Sans plomb/RoHS conforme | |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) | |
Statut de production (cycle de vie) | Dans la production | |
Condition | Nouveau et inutilisé, original scellé | |
D'autres documents connexes | Politique de vert d'AOS | |
Forfait standard | 3 000 | |
Catégorie | Produits semiconducteurs discrets | |
Famille | FETs - rangées | |
Série | - | |
Emballage | Bande et bobine (TR) | |
Type de FET | N et P-canal, drain commun | |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique | |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V | |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 5A, 6A | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) @ Vds | 170pF @ 15V | |
Puissance - maximum | 2.1W, 2.5W | |
Montage du type | Bâti extérieur | |
Paquet/cas | 8-SMD, avance plate | |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-DFN (2.9x2.3) | |
Poids | 0,001 KILOGRAMMES | |
Application | Email pour des détails | |
Partie alternative (remplacement) | AOZ8902CIL | |
Liens relatifs | Fiche technique d'AOZ8902CIL, distributeur d'Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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