Transistors de FET de thyristors de diodes de transistor MOSFET de la Manche d'AO3611 5A/6A 8DFN 30v N
Transistor MOSFET 30V 5A
,transistor MOSFET de la Manche de 30v N
,Transistor MOSFET de puissance de la Manche d'AO3611 N
Transistors MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN de transistors de FET de thyristors de diodes de transistor à effet de champ AO3611
- L'AON3611 emploie la technologie avancée de fossé pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés dans l'inverseur et d'autres applications.
Numéro de la pièce interne | AON3611 | |
Statut sans plomb/statut de RoHS | Sans plomb/RoHS conforme | |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) | |
Statut de production (cycle de vie) | Dans la production | |
Condition | Nouveau et inutilisé, original scellé | |
D'autres documents connexes | Politique de vert d'AOS | |
Forfait standard | 3 000 | |
Catégorie | Produits semiconducteurs discrets | |
Famille | FETs - rangées | |
Série | - | |
Emballage | Bande et bobine (TR) | |
Type de FET | N et P-canal, drain commun | |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique | |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V | |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 5A, 6A | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) @ Vds | 170pF @ 15V | |
Puissance - maximum | 2.1W, 2.5W | |
Montage du type | Bâti extérieur | |
Paquet/cas | 8-SMD, avance plate | |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-DFN (2.9x2.3) | |
Poids | 0,001 KILOGRAMMES | |
Application | Email pour des détails | |
Partie alternative (remplacement) | AON3611 | |
Liens relatifs | AON, AON3611 fiche technique, distributeur d'Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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