Transistor MOSFET 30V 2.6A SOT23 de la Manche du transistor à effet de champ d'oxyde du métal AO3403 P
AO3403
,Transistor à effet de champ d'oxyde de métal
,Transistor MOSFET 30V de la Manche de P
Transistors MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23 de transistors de FET de thyristors de diodes de transistor à effet de champ AO3403
- L'AO3403 emploie la technologie avancée de fossé pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Ce dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans des applications de PWM
Numéro de la pièce interne | AO3403 | |
Statut sans plomb/statut de RoHS | Sans plomb/RoHS conforme | |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) | |
Statut de production (cycle de vie) | Dans la production | |
Condition | Nouveau et inutilisé, original scellé | |
D'autres documents connexes | Politique de vert d'AOS | |
D'autres dessins | Dessus de la série SOT-23 d'AO34xx Extrémité de la série SOT-23 d'AO34xx Côté de la série SOT-23 d'AO34xx |
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Forfait standard | 3 000 | |
Catégorie | Produits semiconducteurs discrets | |
Famille | FETs - simples | |
Série | - | |
Emballage | Bande et bobine (TR) | |
Type de FET | P-canal de transistor MOSFET, oxyde de métal | |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique, commande 2.5V | |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V | |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 2.6A (ventres) | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 115 mOhm @ 2.6A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) @ Vgs | 7.2nC @ 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) @ Vds | 315pF @ 15V | |
Puissance - maximum | 1.4W | |
Montage du type | Bâti extérieur | |
Paquet/cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-23-3 | |
Poids | 0,001 KILOGRAMMES | |
Application | Email pour des détails | |
Partie alternative (remplacement) | AO3403 | |
Liens relatifs | AO3, AO3403 fiche technique, distributeur d'Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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