Puissance Mos Transistor Chip IPD060N03LGATMA1 de protection de circuit
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Modèle de produit:
IPD060N03LGATMA1
Paquet de fournisseur:
TO-252-3
Brève description:
Transistor MOSFET N-CH 30V 50A
Catégorie de produit:
FETs - simples
Domaines d'application:
Puce de protection de circuit
Date de fabrication:
D'ici un an
Surligner:
Puissance Mos Transistor Chip
,Puissance Mos Transistor de protection de circuit
Introduction au projet
Protection IPD060N03LGATMA1 de Chip Discrete Semiconductors Circuit de transistor à effet de champ
Gamme de produits
- OptiMOSª3 ? Puissance-transistor, transistor MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
Données de base
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Infineon | |
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| SI | |
| SMD/SMT | |
| TO-252-3 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 30 V | |
| 50 A | |
| 6 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2,2 V | |
| OR 14,4 | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 56 W | |
| Amélioration | |
| OptiMOS | |
| Bobine | |
| Coupez la bande | |
| Marque : | Infineon Technologies |
| Configuration : | Simple |
| Temps de chute : | 3 NS |
| Transconductance en avant - minute : | 34 S |
| Taille : | 2,3 millimètres |
| Longueur : | 6,5 millimètres |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Temps de montée : | 3 NS |
| Série : | OptiMOS 3 |
| 2500 | |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Type de transistor : | 1 N-canal |
| Temps de retard d'arrêt typique : | 20 NS |
| Temps de retard d'ouverture typique : | 5 NS |
| Largeur : | 6,22 millimètres |
| Partie # noms d'emprunt : | IPD060N03L G SP000680632 |
| Poids spécifique : | 0,011640 onces |
Application
- Applications de changement
- Moteurs de BLDC
- Moteurs synchrones à un aimant permanent triphasés
- Inverseurs
- Demi conducteurs de pont
- Systèmes de contrôle robotiques
- Appareils
- Infrastructure de grille
- EPOS • Theate à la maison
- Systèmes répartis d'alimentation
- Communications/infrastructure de mise en réseau
FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT
- Protection de Chip Discrete Semiconductors Circuit de transistor à effet de champ IPD060N03LGATMA1
Processus d'ordre
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| AO4842 | AO4828 | AO4452 | AO4614BL |
AO4800 |
AO4433 |
| AO4420 | AO4818 | AO4476AL | AO4478 | AO4606 | AO4616 |
|
AO8810 |
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| AO6601 | AO6800 | AO6808 | AO6601 | AO6615 |
AOD403 |
| AOD407 | AOD409 | AOD413 | AOD417 | AOD4132 | AOD484 |
| AOD4184L | AOD472 | AOD413A | AOD464 | AOD2916 | AOD4186 |
| AOD454 | AOD480 | AOD4144 | AOD496 |
AOZ1016AI |
AOZ1050AI |
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable