Dispositifs de semi-conducteur discrets du transistor MOSFET STP110N8F6 pour commuter des applications
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Modèle de produit:
STP110N8F6
Paquet de fournisseur:
TO-220-3
Brève description:
MOSFET de puissance
Polarité des transistors:
Canal N
Domaines d'application:
Changer d'application
Date de fabrication:
D'ici un an
Surligner:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
,Transistor MOSFET discret
,STP110N8F6
Introduction au projet
Gamme de produits
- Applications de changement de transistor MOSFET STMicroelectronics STP110N8F6 de transistors de semi-conducteurs d'IDiscrete
- N-canal 80 V, 0,0056 types de transistor MOSFET de Ω., 110 A, STripFET™ F6 T0-220
Caractéristiques d'appli
- Sur-résistance très basse
- Basse charge même de porte
- Rugosité élevée d'avalanche
- Basse perte de puissance d'entraînement de porte
- Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance de N-canal s'est développé utilisant la technologie de STripFET™ F6 avec une nouvelle structure de porte de fossé. Le transistor MOSFET en résultant de puissance montre le RDS très bas (dessus) en tous les paquets.
Données de base
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| SI | |
| Par le trou | |
| TO-220-3 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 80 V | |
| 110 A | |
| 6,5 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2,5 V | |
| 150 OR | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 200 W | |
| Amélioration | |
| STripFET | |
| Tube | |
| Marque : | STMicroelectronics |
| Configuration : | Simple |
| Temps de chute : | 48 NS |
| Taille : | 15,75 millimètres |
| Longueur : | 10,4 millimètres |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Temps de montée : | 61 NS |
| Série : | STP110N8F6 |
| 1000 | |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Type de transistor : | 1 transistor MOSFET de puissance de N-canal |
| Temps de retard d'arrêt typique : | 162 NS |
| Temps de retard d'ouverture typique : | 24 NS |
| Largeur : | 4,6 millimètres |
| Poids spécifique : | 0,068784 onces |
FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT
- N-canal 80 V, 0,0056 types de Ω., 110 A, transistor MOSFET de puissance de STripFET™ F6 dans un paquet TO-220
Application
- Applications de changement
- Moteurs de BLDC
- Moteurs synchrones à un aimant permanent triphasés
- Inverseurs
- Demi conducteurs de pont
- Systèmes de contrôle robotiques
- Appareils
- Infrastructure de grille
- EPOS • Theate à la maison
- Systèmes répartis d'alimentation
- Communications/infrastructure de mise en réseau
Processus d'ordre
| Ajoutez les pièces à la forme de RFQ | Soumettez le RFQ | Nous répondons d'ici 24 heures |
| Vous confirmez l'ordre | Paiement | Bateau votre ordre |
Plus de modèles de transistor MOSFET
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| Circuits intégrés IC | ||||
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| SSD2848K1 | SSD2828QN4 | SSD2805CG39R | SSD1963G41 | A4988SETTR-T |
| MIC28515T-E/PHA | MIC28514T-E/PHA | MIC28513-1YFL-TR | MIC28516T-E/PHA | MIC28510YJL-TR |
| TPS54160DGQR | TPS54160ADRCR | TPS54140ADRCR | TPS5410MDREP | TPS54336ADDAR |
| LM2596SXADJ | LM2596SX-3.3 | LM2596SX-5.0 | LM2596SX-12 | DRV8312DDWR |
| Microcontrôleurs-MCU | ||||
| STM8S003F3P6 | STM8S003F3U6TR | STM8S003K3T6C | STM8S003F3P6TR | STM8S003K3T6CT |
| STM8S005C6T6C | STM8S005K6T6C | STM8S103K3T6C | STM8S105K6T6C | Plus de modèles d'IC |
| STM32F030R8T6 | STM32F030C6T6 | STM32F030F4P6 | STM32F030C8T6 | STM32F030K6T6 |
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Chip Diagram
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable